据最新报道，SK海力士近日宣布了一项高达19万亿韩元（约合900亿元人民币）的投资计划，用于在韩国清州科技城工业园区建设一座全新的先进封装工厂。该项目已于2026年4月破土动工，预计2027年底全面竣工。这座工厂将成为SK海力士第七座半导体后端封装测试厂（P&T7），占地面积约23万平方米，主要服务于高带宽内存（HBM）等AI核心存储产品的封装需求。
新工厂将采用3D堆叠、扇出型封装等先进工艺，重点适配HBM3E、HBM4等高带宽内存的封装测试需求。工厂与清州M15X前端晶圆厂形成“制造+封装”一体化协同模式，大幅提升AI存储芯片的交付效率与良率。SK海力士预计，2025-2030年HBM市场需求的复合年增长率将达到33%，而P&T7工厂将成为其巩固高端存储市场领先地位的重要产能支撑。
工厂建设将分阶段推进，规划建设三层晶圆级封装（WLP）产线和七层晶圆测试（WT）产线，洁净室总面积达15万平方米。其中，WT产线预计2027年10月率先完工，WLP产线则计划于2028年2月投产，逐步释放HBM封装产能。这一布局将有效缓解当前全球HBM封装产能紧张的局面，直接满足英伟达等AI芯片巨头的供应链需求。
与此同时，SK海力士也在加速全球化封装布局。除了清州P&T7工厂外，其位于美国印第安纳州的先进封装厂已于今年4月启动打桩作业，预计2028年下半年投产。未来，SK海力士将形成以韩国利川、清州以及美国为核心的三大先进封装中心，全面覆盖全球AI数据中心与算力基础设施的存储封装需求，进一步巩固其在高端存储市场的技术与产能优势。
