长鑫存储HBM3商用化进度或延后

据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，DRAM制造商长鑫存储的第四代高带宽存储器（HBM3）商用化进程可能面临延迟。尽管该公司在DDR5、LPDDR5X等最新规格产品的商用化上已取得成功，但HBM3的量产计划却出现变数。

业内相关人士透露，长鑫存储的HBM3目前仍处于测试阶段，其所需材料和零组件的采购量仅维持在样品制造水平，尚未达到量产级别。根据当前研发进度，业界评估认为，长鑫存储在2026年内实现HBM3量产的可能性较低。此前，长鑫存储曾计划最快于2026年上半年量产HBM3。

HBM是一种通过垂直堆叠多颗DRAM芯片以大幅提升数据处理速度的技术。相较于三星电子已开始量产并出货的HBM4，长鑫存储的HBM3在技术上属于较成熟的产品阶段。其HBM3核心晶粒采用G4（16纳米级）DRAM，并结合MR-MUF（Mass Reflow-Molded Underfill）封装技术。