日本加速光电融合半导体技术发展

据日本共同通信社和日经新闻报道，日本半导体国家队Rapidus与多所国立大学合作的研究机构“先进半导体技术中心”（LSTC），于4月17日宣布将与NTT共同开发基于光技术的下一代半导体。这项技术旨在通过光电融合技术实现更高效的半导体制造。

LSTC在说明会上介绍了利用光学配线技术的半导体制造工艺。相比传统小芯片（Chiplet）架构中使用的电气配线，光学配线能够显著降低功耗。目标是在2030年代初期实现该技术的商用化。

为推动这一计划，日本经济产业省将提供资金支持，用于在北海道千岁市建设研发据点。该据点选址于千岁科学技术大学内，邻近新千岁机场，周边已有Rapidus的“IIM”工厂以及精工爱普生千岁事业所的后段制程研发据点“RCS”。据规划，该据点将于2028年度投入运营。

LSTC理事长、同时也是Rapidus会长的东哲郎，与东北大学教授福岛誉史等人在东京举行的记者会上详细说明了合作内容。未来，Rapidus将负责生产LSTC开发的产品，而NTT有望成为其重要客户之一。