据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子近期宣布成功研发采用8纳米制程的磁性随机存取存储器（MRAM），并已达到量产良率。这一突破标志着三星在MRAM技术领域迈出重要一步，同时计划于2027年实现5纳米MRAM的量产。
测试数据显示，与目前主流的14纳米MRAM相比，三星8纳米MRAM的写入速度提升了62.5%，集积密度达到每平方毫米19.94Mb，较14纳米提高了11.5%。此外，其品质因数（FoM）达到4,146分，整体性能提升52.9%。这一成果在ISSCC 2026会议上首次公开，被认为是全球首个在8纳米制程下完成实际制造和性能验证的MRAM技术。
三星自2018年首次量产28纳米MRAM以来，持续加大研发投入，2024年推进至14纳米，并将8纳米作为2026年的技术升级目标。此次突破不仅巩固了三星在存储器领域的领先地位，也为其在全球AI半导体竞争中抢占先机。
与此同时，台积电也计划于2027年完成5纳米MRAM的量产准备。这表明，全球两大晶圆代工厂的竞争已从传统存储器领域扩展至MRAM技术。
根据市调机构Global Market Insights的数据，2025年全球MRAM市场中，三星以14.3%的市占率位居第一，台积电以11.9%紧随其后。双方正主导初期市场格局，与英特尔、Honeywell、英飞凌等前五大厂商合计占据约52.7%的市场份额。
