三星计划5月生产HBM4E内存样品

据韩媒ChosunBiz报道，三星电子计划于5月生产首批性能达标的HBM4E内存样品，为2027至2028年的市场供应做好准备。这一内存产品在今年早些时候的NVIDIA GTC 2026大会上首次公开展示，其每Pin数据传输速率可达16Gbps，整体带宽高达4.0TB/s。不过，业内人士分析，当时的样品主要用于展示三星的技术实力，而非最终量产版本。

与HBM4类似，HBM4E将采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die，但工艺细节有所优化。三星晶圆代工部门计划在5月中旬前完成HBM4E性能样品的Base Die生产，并将其交付给存储器业务部门，以进行后续的3D封装工序。这一进展标志着三星在高性能内存领域的持续发力。