三星自主研发LTS技术解决SOCAMM2翘曲问题

据韩媒ET News报道，三星电子在次时代AI服务器用存储器模块SOCAMM2的量产过程中，成功克服了翘曲问题。这一技术瓶颈的突破得益于三星自主研发的低温锡膏焊接（LTS）技术的导入。

SOCAMM2预计搭载于NVIDIA的次时代AI平台Vera Rubin，并将与高带宽存储器（HBM）共同部署。该模块采用LPDDR5X芯片封装成模块后再通过螺栓加压锁固的结构，容易因翘曲导致连接不良。为解决这一问题，三星将焊接制程的温度从260°C以上降至150°C以下，大幅降低了热膨胀失配的风险。

三星早在2023年便启动了次时代LTS技术的研发，并以2025年量产为目标，与联想等主要客户展开合作，积累实际生产经验。业界认为，正是这项提前布局的技术帮助三星在研发和量产速度上领先竞争对手。

此外，三星还通过改良设计进一步提升了SOCAMM2的稳定性，包括将晶粒排列方式从双塔结构改为单塔结构，优化环氧塑封料（EMC）的厚度与热膨胀系数，并利用高精度模拟模型提高翘曲预测的精准度。

据传，三星已于2025年12月向NVIDIA供应SOCAMM2客户样品（CS），并在2026年GTC大会上首次公开搭载于Vera Rubin平台的实物。这标志着AI服务器存储器市场将迎来以SOCAMM2为核心的新一轮竞争。