英特尔展示全球最薄GaN芯片，厚度仅19微米

据法新社报道，英特尔近日在晶圆代工领域取得重要技术突破，成功制造出全球最薄的氮化镓（GaN）芯片，厚度仅为19微米（μm）。这一成果标志着英特尔在先进半导体制造技术上的领先地位。

氮化镓因其优异的电气性能和耐高温特性，被广泛应用于射频、功率放大器及高速通信等领域。英特尔表示，通过先进的晶圆加工技术，将GaN芯片厚度压缩至传统标准的一半以下，显著提升了散热效率，同时降低了功耗，使终端产品更加轻薄便携。

英特尔此次技术突破的核心在于解决了GaN制程中的两大难题：晶圆薄化难度与控制电路分离。在薄化制程上，研发团队采用“先隐形切割后研磨”（stealth dicing before grinding；SDBG）技术，利用高精度激光在晶圆内部预设微裂纹，再通过机械研磨去除基底，成功将12英寸晶圆减薄至19微米，且未损及内部晶体管与金属布线。

实测数据显示，30纳米栅极元件不仅可阻隔高达78伏电压，射频截止频率突破300GHz，表现出优异的电流驱动能力和低能耗特性。

另一大创新点是“异质单芯片整合”架构。过去，GaN功率元件需搭配独立的硅控制芯片，长距离信号路径导致能量损耗。英特尔通过层转移技术，将硅PMOS逻辑晶体管直接构建于GaN晶圆上，与专精高压处理的GaN N-MOSHEMT功率晶体管并列共存。测试验证表明，该架构成功实现了逆变器、NAND门与环形振荡器等数字电路元件库。其中，逆变器切换速度仅需33皮秒（ps），且在整片300毫米晶圆上的表现高度一致，证明该制程具备大规模量产潜力。

英特尔强调，此技术完全兼容现有300毫米硅片制造基础设施，无需巨额新增投资即可导入量产。未来，该技术将广泛应用于数据中心点对点电压调节器、5G/6G基站射频前端、车用电源系统及卫星通信等领域。