积塔半导体与英飞凌达成合作，共推特色工艺代工能力升级

近日，在上海举行的“共创价值、协同增长”2026半导体技术创新研讨会上，积塔半导体与全球功率半导体龙头企业英飞凌正式签署合作协议。双方将在嵌入式非易失存储（eNVM）等技术领域展开深度合作，共同推动特色工艺代工能力的进一步提升。

此次研讨会吸引了来自汽车、具身智能、芯片设计等领域的260多家产业链企业参与。联合电子、傅利叶集团、复旦大学等单位的专家围绕新一代电子电气架构、具身智能、新型存储器件等热点话题进行了深入探讨。与会者普遍认为，代工行业的竞争已从单纯的产能和价格比拼，转向方案化服务能力的较量，产业协同将成为未来发展的关键驱动力。

积塔半导体目前已在上海临港和徐汇建成两大生产基地，并通过了德国汽车工业质量标准A级审核，成为具备完整车规级芯片制造资质的特色工艺代工厂。公司在车规级SiC MOSFET、高压IGBT、先进BCD及40/28nm逻辑工艺等领域取得了重要突破。

在存储技术领域，积塔半导体形成了eFlash、SONOS、RRAM三条技术路线并行发展的格局，为客户提供多样化的选择。此次与英飞凌合作引入的SONOS技术，凭借其工艺兼容性强、集成成本低以及量产数据丰富的特点，进一步增强了积塔在高可靠性、成本敏感场景下的解决方案能力。

研讨会上，积塔详细介绍了CMOS与BCD工艺平台的发展规划，明确提出了构建方案化代工能力的技术路径。依托持续优化的工艺体系，积塔能够为客户提供“存储+控制+驱动+功率”的一站式代工服务，实现从单一工艺优势到方案化平台能力的跨越。

业内人士分析指出，积塔与英飞凌的合作不仅是双方技术能力的互补，也体现了特色工艺代工领域从“产能填充”向“技术协同”的深层次转变。随着汽车电子、具身智能等应用对高可靠性、定制化芯片需求的快速增长，具备方案化服务能力的代工厂将在未来竞争中占据重要地位。