据韩媒ET News报道，长鑫存储计划于2027年量产12层高带宽存储器（HBM），这一规格目前是搭载于AI芯片的最高堆叠技术。
HBM通过垂直堆叠DRAM提升带宽，堆叠层数是衡量技术实力的重要指标。现阶段，市场供应以12层第五代HBM（HBM3E）为主。长鑫存储正与海内外材料商、零件商及设备厂商讨论设备投资方向，计划在2026年进入8层第四代HBM（HBM3）的大规模量产，同时针对12层HBM生产展开正式协商。
长鑫存储于2024年下半年才开始量产4层第二代HBM（HBM2），而此时SK海力士已进入12层HBM3E的量产阶段，两者差距显著。然而，长鑫存储正通过快速提升技术能力，逐步缩小与韩国厂商的差距。
此外，长鑫存储计划将2026年的全部DRAM产能的20%转向生产HBM，并通过首次公开募股（IPO）筹资42亿美元，用于扩充新一代DRAM与HBM生产线。尽管其良率仍低于韩国厂商，但通过扩大产量，长鑫存储希望提升市场影响力和技术能力。
业界人士指出，三星和SK海力士若想与中国厂商拉开技术差距，需抢先掌握16层HBM或混合键合（Hybrid Bonding）等关键技术。预计三星和SK海力士最快将于2026年底完成16层HBM的开发。
