据韩媒ZDNet Korea报道，三星电子位于韩国平泽的P4厂区设备投资已进入最后阶段。最新消息显示，三星近期针对P4厂区的第二阶段（Ph2）和第四阶段（Ph4）厂房发出了前段制程设备采购订单（PO）。
P4厂区分为四个阶段建设，目前第一阶段（Ph1）已完成全部投资，第三阶段（Ph3）自2024年下半年起逐步推进，大部分设备已安装完毕。剩余的Ph4和Ph2前段制程设备投资将在2026年加速进行。据悉，Ph4预计在2026年5月至6月引进设备，而Ph2则计划在同年11月前后启动设备安装，无尘室工程已于2026年第一季度展开。
三星P4厂区最初规划为DRAM、NAND Flash和晶圆代工的综合生产基地，但受市场因素影响，目前主要产能已转向DRAM，特别是基于最先进制程的第六代10纳米级（1c）DRAM。1c DRAM作为三星第四代高带宽存储器（HBM4）的核心裸晶，其产能动态备受关注。
展望未来，P4厂区的Ph3阶段预计在2026年实现月产能13万至14万片的规模，而Ph2的前段制程设备安装预计在2027年第一季度完成。此外，三星还计划在2027年推动P3厂区及华城17号线的1c DRAM制程转换投资，进一步扩大整体产能。
