近日,三菲化合物半导体光芯片制造基地项目正式签约,落地苏州太仓。该项目计划总投资达20亿元,旨在推动高端光芯片的研发与制造。
据太仓投资促进消息,三菲半导体将在太仓建设化合物半导体光芯片制造基地。一期项目总投资10亿元,预计于今年8月开工,2028年正式投产。项目将专注于InP激光器、光电探测器芯片以及GaAs激光器芯片等高端光芯片的研发与制造。这些芯片主要应用于5G通信、数据中心和激光传感等领域,助力公司在模拟光与相干光领域的光电一体化解决方案能力提升。
上海三菲半导体有限公司成立于2002年,长期致力于光芯片、电芯片与算法的自主核心技术,是国内光电一体化解决方案的领先提供商。为扩大产能和完善产业链布局,公司最终选择将这一重要制造基地落户太仓。