据韩媒ETNews援引消息人士透露，三星成功克服了SOCAMM2设计中的“翘曲”问题，这一技术难题曾是其下一代AI服务器内存模块实现大规模生产的主要障碍。通过应用自主研发的下一代低温焊料（LTS）技术，三星有效解决了这一问题。
翘曲是指组件在制造过程中因受热而产生的轻微弯曲，主要原因是材料之间热膨胀系数（CTE）不匹配。SOCAMM2模块由于采用将LPDDR5X芯片组装成模块并通过螺栓压紧固定的结构，更容易出现这一问题，增加了连接失效的风险。
为应对这一挑战，三星将焊接工艺温度从260℃以上降至150℃以下。通过大幅降低峰值温度，热膨胀不匹配现象得以最小化。此外，三星还对芯片封装结构进行了多项改进。例如，将双塔式结构改为单塔式以增强机械刚性，同时优化了环氧模塑化合物（EMC）的厚度和热膨胀性能，并引入高精度仿真模型以提高翘曲预测的准确性。
SOCAMM2是一款低功耗内存模块，专为与NVIDIA下一代AI平台Vera Rubin中的HBM配合使用而设计。据TheElec报道，SK海力士也在加速向第六代（1c）DRAM工艺转型，以扩展其AI内存产品组合。与此同时，据中央日报报道，美光已于3月初出货全球首批256GB SOCAMM2客户样品，其容量较三星和SK海力士的192GB产品提升了约33%。
通过引入LTS技术，三星在SOCAMM2的开发和量产时间表上有望领先于竞争对手。
