三星计划2026年量产8英寸氮化镓晶圆

据韩国媒体The Elec报道，三星正加速布局第三代半导体领域，其首条8英寸氮化镓（GaN）晶圆生产线预计最快将于2026年第二季度进入量产阶段。初期收入预计将低于1000亿韩元，显示出其在该领域的初步规划。

三星已构建起覆盖除芯片设计外所有环节的综合氮化镓解决方案生态系统，并具备独立生产氮化镓外延晶圆的能力。与此同时，三星计划在今年内启动碳化硅（SiC）功率半导体代工线的运营。在碳化硅领域，三星具备从设计到生产端到端的能力，可与氮化镓技术形成互补，覆盖不同电压范围的应用需求。

此外，三星已投入约1000亿至2000亿韩元购置先进工艺设备，包括Aixtron的MOCVD系统，以支持硅基氮化镓和碳化硅晶圆的加工需求。这一系列动作表明，三星正全面发力第三代半导体市场。