为推动16层以上第七代高带宽存储器（HBM4E）的量产，三星电子正加速引进混合键合技术所需的新型检测设备。据韩媒ET News报道，美国Onto Innovation的检测设备已在三星量产线上完成验证，多家韩国本土设备商也正积极争取合作机会。
混合键合技术通过直接连接两颗裸晶的铜表面，实现更高效的裸晶堆叠。相比传统的热压合键合，该技术无需使用微型金属凸块，接合面积更大，界面电阻更低，散热与电气性能显著提升。然而，这一技术对检测设备的要求极高，需能够精准检测接合面的空洞等缺陷，同时避免对昂贵晶圆或HBM造成损伤。
三星计划在2026年底前完成多家设备商的效能对比测试，并已与Onto Innovation签订联合开发计划（JDP）。后者提供的光声计测设备结合了雷射超声波技术，突破传统光学检测限制，可精确测量上下层结构的叠合误差。此外，部分韩国设备商已取得三星提供的键合晶圆样品，完成初步效能测试，结果表现良好。
2026年3月，三星在NVIDIA年度开发者大会（GTC 2026）上展示了HBM用混合键合技术，并在国际固态电路学会（ISSCC）上发表相关论文。业界认为，混合键合技术的成熟将为次世代存储器的量产奠定基础，而高效检测设备的引入则是关键一步。
