据韩媒《首尔经济》援引业界消息，三星电子预计在2026年第一季度实现HBM（高带宽存储器）营收同比增长超过300%。这一增长主要得益于向NVIDIA供应的HBM3E和2026年2月率先量产的HBM4存储器出货量激增。
外界预测，三星2026年第一季度营收可能突破120万亿韩元，营业利润有望超过40万亿韩元（约合261亿美元），这将创下韩国企业史上单季营业利润的新纪录。
随着通用型DRAM价格飙升，HBM营收也同步暴涨。业界预计，三星DRAM业务在2026年第一季度的营收将超过45万亿韩元，而HBM营收则有望突破3万亿韩元，较2025年同期的1万亿韩元增长3倍以上。
由于HBM和DRAM的利润率接近70%，三星仅DRAM业务就可能贡献约33万亿韩元的营业利润。此外，NAND Flash价格从2025年10月的4.4美元上涨至2026年2月的12.7美元，相关利润预计较2025年第四季度的2.6万亿韩元增长3至4倍。
从2026年第二季度起，随着HBM4大规模出货，三星HBM营收有望进一步攀升。预计2026年下半年单季营收可能接近10万亿韩元。同时，三星计划扩大1c DRAM产能，将HBM整体出货量提升3倍以上，其中HBM4占比超过一半，进一步巩固其在AI存储器市场的技术主导地位。
金融界预测，随着DRAM和HBM4营收在2026年第二季度全面释放，三星第二季度营业利润可能达到50万亿韩元，第三季度更有望突破60万亿韩元。业界人士指出，HBM4将成为推动三星整体利润增长的核心动力。
