三星西安厂量产第八代V-NAND闪存，V9研发提上日程

据韩媒ETNEWS报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期完成了关键工艺制程的升级，正式实现第八代V-NAND（V8，236层堆叠）3D NAND闪存的量产。这一进展标志着三星在高性能存储设备领域的竞争力进一步提升。

西安晶圆厂是三星在韩国以外的重要半导体生产基地，长期专注于先进存储芯片的研发与制造。此次制程升级始于2024年，基于原有的V6（128层）NAND生产线进行技术改造，显著提升了产品性能、生产效率和产能水平，以满足人工智能时代对高性能存储设备的快速增长需求。

在成功量产V8 NAND闪存后，三星西安晶圆厂已制定下一阶段的技术目标，将重点推进286层堆叠的V9 NAND闪存的研发与产线建设。相关生产线将布局于X2工厂，预计在2026年内完成产线过渡并实现量产。这一计划体现了三星持续推动3D NAND闪存技术向更高堆叠、更高性能和更高效率方向发展的战略意图。