中国300层以上NAND闪存量产在即
来源:万德丰发布时间:2026-03-281431浏览
询问 AI据台媒及半导体行业消息人士3月27日透露,存储芯片企业长江存储计划在今年下半年启动超高层NAND产品“X5-9080”的量产,该产品堆叠层数超过300层。这一进展标志着中韩两国在NAND闪存领域的技术差距正迅速缩小,甚至有望在今年内被追平。
NAND闪存是一种非易失性存储器,广泛应用于存储大量信息。其性能随着堆叠层数的增加而提升,是存储半导体产业的重要支柱之一。目前,韩国企业SK海力士正在量产321层NAND产品,而三星电子则主要生产286层产品。相比之下,长江存储的技术进步显著,其294层NAND产品已应用于消费级固态硬盘“PC550”,并计划进一步扩大市场份额。
长江存储凭借自主研发的“Xtacking”堆叠技术,在美国严苛制裁背景下仍取得突破性进展。公司还将其位于武汉的NAND生产基地投产时间从明年上半年提前至今年下半年,目标是将全球NAND市场份额从目前的10%提升至年底的16%。此外,长江存储正考虑年内上市,企业估值预计超过400亿美元。
与此同时,其他存储企业也在加速布局物理AI领域的先进存储技术。深圳朗科科技在德国“Embedded World 2026”展会上推出了面向人形机器人的“mSSD”产品,该产品将控制器与NAND集成于单芯片封装中,体积较现有产品缩小60%以上。江波龙电子则在西班牙“2026世界移动通信大会”上展示了AI工业级固态硬盘“AP系列”,适用于移动机器人及严苛的自动化产线场景。
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