据日经新闻（Nikkei）报道，日本软银（SoftBank）全资子公司SaiMemory已取得英特尔（Intel）的技术授权，正在开发一种名为ZAM（Z-Angle Memory）的下一代存储器。SaiMemory社长兼CEO山口秀哉表示，高带宽存储器（HBM）技术将在2030年左右达到极限，而ZAM有望成为其替代方案。
SaiMemory于2024年12月成立，专注于IP管理与设计开发。未来，该公司可能与现有存储器大厂展开技术授权或代工合作。对于是否会效仿Rapidus模式接受日本政府直接出资，山口秀哉表示，这将是选项之一，同时也不排除与海外半导体企业合作的可能性。
山口秀哉指出，HBM通过堆叠存储器提升性能，目前已达到16层，但其主流速度将逐渐难以满足需求。他质疑HBM能否突破20层并持续增加。相比之下，ZAM采用垂直堆叠结构，散热性能更优，堆叠极限可从20层大幅提升至约100层，从而充分发挥GPU等处理器的性能，同时解决散热与功耗问题。
SaiMemory的目标并非与三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）等厂商的HBM竞争，而是着眼于HBM的下一代技术，争夺未来AI存储器市场的重要地位。
