据韩媒每日经济和Financial News报道，SK海力士的HBM4开发与量产计划正按部就班推进，市场对其进度的担忧与实际情况并不相符。韩国未来资产证券指出，HBM4的量产将配合主要GPU客户的产品时间表，稳步进行。目前尚未发现明显的质量问题或出货延迟迹象，且大部分2026年的产能已被主要客户预订，这在一定程度上缓解了短期市场不确定性。
随着AI服务器与加速器需求的快速增长，存储器市场供需紧张的局面或将延续至2027至2028年，这对HBM和高端DRAM的价格与盈利表现形成有力支撑。与此同时，SK海力士的部分设备投资已提前2至3个月执行，预计2026至2027年间产能将实现双位数增长，增幅约为18%（以投入晶圆计算），显示出其在AI存储器需求推动下的积极扩张策略。
在产能布局方面，SK海力士计划于2027年初完工的龙仁Y1新厂将成为其未来DRAM扩产的核心基地。据市场预测，龙仁Y1新厂的规模将显著大于现有的M15X厂，表明SK海力士正为中长期AI需求做足准备。此外，其NAND Flash产线将继续以中国大连的Solidigm基地为核心进行优化与扩充。
财务方面，未来资产证券上调了SK海力士的盈利预期，预计2026年第一季度营业利润将增长6%，达到32.3万亿韩元（约合220亿美元）。这一增长得益于HBM产品组合的优化和价格上涨带来的盈利动力。
与此同时，市场传出SK海力士正推行HBM产品的双轨策略，将开发资源分为针对大型云端与AI客户的定制化产品（cHBM）以及面向广泛市场的标准型产品（sHBM），以扩大客户基础并提升市场渗透率。
尽管品质验证、生产良率及宏观经济等不确定因素依然存在，但在AI基础设施持续扩展的推动下，HBM需求有望保持结构性增长。SK海力士凭借其技术优势和市场布局，有望在激烈的竞争中继续保持领先地位。
