据韩媒New Daily援引业界消息，三星电子正以韩国天安园区为核心，加速高带宽存储器（HBM）后段制程的产能扩张。根据计划，三星将在2026年底前实现每月23.1万颗的热压键合（TCB）制程产能，同时每月提供1.95万颗基于混合铜键合（HCB）技术的产能。到2029年，三星将把HBM堆叠制程的重心从TCB技术逐步转移至HCB技术。
三星于2026年2月宣布率先量产HBM4，并在GTC 2026上展示了HBM4E及HCB技术。业界分析认为，HBM市场的竞争重点正从存储器芯片本身转向堆叠与键合的速度和稳定性。目前，TCB技术仍是HBM量产的核心，但HCB技术以直接铜键合为基础，可实现更高的堆叠层数和更精细的线距，因此备受关注。
三星表示，HCB技术相比TCB技术能够改善20%以上的热阻，同时支持16层以上的高堆叠。HBM4的传输速度已稳定达到11.7Gbps，最高可达13Gbps，带宽最高为3.3TB/s；而HBM4E的目标是实现16Gbps的传输速度和4.0TB/s的带宽。业界认为，三星在前段制程性能竞争中已迈入新阶段，后续的关键在于能否以客户所需的良率和时间表完成芯片封装并交付。
随着HBM4、HBM4E以及定制化HBM的发展，客户需求已从单纯关注规格转向封装完成度和供应稳定性。例如，像NVIDIA这样的客户更倾向于选择能够稳定供应的高层堆叠封装产品，而非单一高性能芯片。因此，天安园区的扩产计划不仅意味着产量的提升，更被视为三星将HBM市场划分为“现在”与“未来”两个战场的信号。
