铠侠加速量产332层3D NAND芯片

铠侠近日透露，计划在今年提前量产采用332层架构的BiCS10 3D NAND芯片，以应对AI数据中心对高容量存储的迫切需求。据消息人士透露，这一项目原定于2027年量产，但因市场需求激增而大幅提速。

为平衡性能与成本，铠侠采取了差异化生产策略。新建工厂将专注于生产332层旗舰芯片，而现有工厂则继续制造218层主流产品，以满足不同市场的需求。BiCS10芯片在技术上实现了显著突破，其存储密度提升了59%，读取延迟缩短了4微秒，功耗降低了29%。这主要得益于创新的电压控制方法和CBA架构，大幅优化了连续访问效率。

尽管部分技术细节尚未得到官方确认，但铠侠的这一动作无疑对竞争对手形成了压力，同时也为用户提供了更高性能、更低功耗的存储解决方案。随着闪存技术的军备竞赛进入白热化阶段，市场对存储技术的期待也进一步提升。