据《首尔经济日报》报道，英伟达已与三星电子展开合作，共同研发铁电NAND闪存技术。这一合作旨在解决当前存储芯片短缺和AI数据中心电力危机两大难题。铁电NAND技术通过实现高达1000层的堆叠，最多可降低96%的功耗，为行业提供全新解决方案。
市场研究机构Omdia数据显示，全球NAND供应量在2022年达到峰值后逐步下降，预计2028年也难以满足市场需求。随着NAND芯片短缺加剧，今年第一季度价格环比涨幅已达90%。英伟达计划在下一代AI加速器“Vera Rubin”中引入新型NAND技术，预计需求将占全球总量的9.3%。
与此同时，AI产业的电力消耗问题愈发严峻。国际能源署预测，全球AI数据中心耗电量将从2024年的450太瓦时增至2030年的950太瓦时。英伟达为应对这一挑战，正加大新技术投资力度，包括与硅光子学企业合作以及建立“英伟达加速量子研究中心”。
铁电材料无需外部电场即可保持极化状态，相较于传统硅材料可显著降低电压需求，同时实现更密集的堆叠。三星与英伟达已开发出一种AI技术，可将材料分析速度提升一万倍。据悉，三星正重点攻关1000层堆叠技术，并展示了一款低功耗铁电晶体管。
在专利领域，三星电子在铁电器件领域的专利申请量居全球首位，达255项，占总量的27.8%。与此同时，三星电子和SK海力士也在开发基于NAND技术的高带宽闪存（HBF），以满足人工智能计算需求。
