据上海松江消息，尼西半导体科技（上海）有限公司在松江综保区成功建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。这一技术突破显著降低了功率芯片的导通电阻和热阻，大幅提升了能效与散热性能，为新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景提供了重要支撑。
图源：上海松江
晶圆越薄，性能越好，但加工难度也随之增加。当晶圆厚度低于50微米时，其脆性极大，稍有不慎便可能破裂。尼西半导体通过先进的化学腐蚀技术，将晶圆加工精度控制在35±1.5微米，消除92%的研磨应力损伤，使碎片率降至0.1%以下。切割环节采用定制化激光技术，热影响区显著缩小，切割良率达到98.5%。
设备数据显示，产线研磨机加工精度达0.1微米，片内厚度偏差小于2微米；激光切割机切缝宽度仅11微米，较传统工艺提升约10%的芯片有效面积利用率。芯片厚度的降低直接优化了电学与热学性能。载流子通过芯片的时间缩短40%，发热量减少，导通损耗降低；热阻较100微米标准品下降60%，散热性能显著提升。封装环节支持双面散热，模块热阻再降30%，功率循环寿命提升5倍。
在应用端，同等晶圆面积下芯片产出量增加20%，可使手机快充模块体积缩减一半，并为电动汽车电控单元减重3公斤。目前，该产线单日测试产能达12万颗成品，键合机日产能约400片。产线中的核心装备由尼西半导体与国内厂商联合研发，实现了关键设备的自主可控，填补了国内相关领域的空白。
