韩华投资证券分析师Park Jun-young在2月24日发布的报告中预测，2026年全球存储市场规模将同比增长159%，达到5749亿美元，是2018年1599亿美元的3.6倍。其中，DRAM市场预计同比增长192%，达到4399亿美元，而NAND市场将增长88%，达到1350亿美元。
这种增长主要由价格驱动。预计2026年DRAM的平均售价（每Gb）将从2025年的0.52美元上涨138%至1.23美元，NAND闪存的平均售价（每Gb）也将从2025年的0.07美元上涨65%以上，达到0.12美元。Park Jun-young认为，尽管需求增长是推动价格上涨的因素之一，但供应限制的影响更为显著。
HBM（高带宽内存）的普及被视为行业的重要亮点。Park Jun-young指出，HBM不仅能降低内存公司业绩的波动性，还将推动行业对其盈利能力稳定性进行重估。他还提到，SK海力士有望凭借HBM在2026年前实现连续三年的显著利润增长，这一趋势可能延续至2027年。
此外，三星电子被列为首选投资标的。据Park Jun-young评估，三星电子预计从2026年开始向北美AI GPU客户供应HBM4，其稳定的1c工艺和基于自有晶圆厂的4nm基础芯片生产能力，可能成为提升HBM4竞争力的关键因素。
