据《华尔街日报》报道，美光科技（Micron Technology）宣布了一项总额高达2000亿美元的扩产计划，以应对全球AI数据中心对高带宽存储器（HBM）和先进DRAM的爆炸性需求。这一计划被认为是史上最大规模的半导体扩产行动之一。
据悉，美光将在总部所在地美国爱达荷州博伊西（Boise）投资500亿美元，扩建园区并新建两座先进晶圆厂（ID1、ID2）。每座晶圆厂的面积达60万平方英尺（约5.6万平方米），预计首座晶圆厂将于2027年中开始量产DRAM，两座厂房则计划在2028年底前全面投产。为推进工程进度，美光团队已引爆超过700万磅炸药，用于开凿玄武岩基岩。
除爱达荷州外，美光还在纽约州雪城（Syracuse）附近启动了一项1000亿美元的晶圆厂群建设项目，这是该州历史上最大的私人投资。此外，美光于2025年底宣布在日本广岛投资96亿美元建设新厂，进一步完善其全球多元化制造布局。
美光副总裁Scott Gatzemeier表示，随着AI从模型训练转向推理应用，数据吞吐量需求呈倍数增长，现有产能已无法满足市场需求，因此公司加速资本支出布局。美光商务长Sumit Sadana也指出，存储器已从传统系统元件升级为AI架构中的“战略资产”，推动了ID2项目的提前启动。
目前，美光的HBM4和HBM3E产品库存已销售一空，HBM4出货量预计从第二季度开始显著增加。财务长Mark Murphy透露，公司目前仅能满足部分关键客户50%~66%的需求，多数买家已签署多年长约以确保稳定供应。
与此同时，韩国存储器巨头SK海力士和三星电子也在加大资本支出，积极争夺AI存储器供应链的主导权。业内人士分析，存储器供需失衡的情况可能持续至2026年底甚至2027年上半年。
分析指出，AI运算架构正从“算力为王”向“算力与存储器并重”转变。在大型语言模型（LLM）和推理工作负载激增的背景下，HBM已成为决定系统性能和能源效率的关键瓶颈。美光通过前瞻性资本支出和全球产能重构，正试图从传统存储器厂商转型为AI基础设施的核心供应商。
