据韩媒ET News和韩联社综合报道，三星电子宣布已成功实现第六代高带宽存储器（HBM4）的量产与出货，成为全球首家达成这一目标的企业。此举标志着新一代AI存储器市场竞争正式拉开帷幕。
三星表示，预计到2026年，其HBM业务营收将比2025年增长3倍以上。同时，公司计划在2026年下半年推出第七代HBM4E样品，以应对市场对高性能存储器的爆发性需求。为此，三星正加速相关基础设施投资。
在技术层面，三星此次采用了“制程先行导入”策略，摒弃了以往偏重成熟制程的做法。其HBM4直接基于第六代10纳米级（1c）DRAM与4纳米晶圆代工制程生产，从而实现提前量产。此外，HBM4在性能上取得显著突破，运行速度高达11.7Gbps，较国际固态技术协会（JEDEC）制定的8Gbps标准提升了46%。最高运行速度可达13Gbps，接近业界技术极限。
在带宽和容量方面，三星HBM4同样表现出色。以单一堆叠为基准，其最大带宽达到3.3TB/s，较前代HBM3E提升了约2.7倍。目前，三星将优先供应12层堆叠的24~36GB产品，并计划未来引入16层堆叠技术，将单一封装容量提升至最高48GB。
