2月12日，三星电子宣布其HBM4内存正式量产并交付商用产品。这一进展使三星在HBM4市场中占据了先发优势，同时也为高性能计算和人工智能应用提供了更强大的支持。
三星采用了最先进的第六代10纳米级DRAM工艺（1c）和4nm逻辑工艺，确保HBM4在量产初期即具备稳定良率和卓越性能。据三星电子执行副总裁兼存储器开发负责人黄相俊介绍，这种创新设计显著提升了性能空间，满足了客户对高性能内存的需求。
三星HBM4显存的传输速率高达11.7 Gbps，较行业标准8Gbps提升了约46%，相比前代HBM3E的9.6Gbps提升了1.22倍。其性能还可进一步提升至13Gbps，有效缓解AI模型扩展带来的数据瓶颈问题。此外，HBM4的总内存带宽较HBM3E提高了2.7倍，最高可达每秒3.3 TB。
在容量方面，三星HBM4采用12层堆叠技术，提供24GB到36GB的容量选择。未来，通过16层堆叠技术，容量将扩展至48GB，以满足更高需求。
为应对数据I/O引脚数量增加带来的功耗和散热挑战，三星在核心芯片中集成了低功耗设计方案。通过低电压硅通孔（TSV）技术和电源分配网络（PDN）优化，HBM4的能效提升了40%，热阻降低了10%，散热能力提高了30%。
三星表示，HBM4的卓越性能和能效将帮助客户提升GPU吞吐量并优化总体拥有成本（TCO）。此外，三星正通过其庞大的DRAM产能和先进封装技术，确保供应链的弹性以应对HBM4需求的增长。
未来，三星计划引入逻辑制程的基底芯粒，以满足客户定制化需求。同时，公司将继续加强与全球GPU制造商和数据中心运营商的合作，推动HBM技术的进一步发展。
据三星预计，其HBM产品销量将在2026年较2025年增长3倍以上。HBM4E样品预计于2026年下半年推出，而定制化HBM样品将于2027年开始交付。
