英伟达下一代超级芯片HBM4将由韩厂主导，美光暂被排除

据媒体报道，SK海力士和三星电子的第六代高带宽存储器（HBM4）预计将被用于NVIDIA下一代超级芯片“Vera Rubin”，而美光暂时未能进入供应名单。这一消息引发了业界对HBM市场竞争格局的关注。

日前有消息称，NVIDIA创始人黄仁勋与SK集团会长崔泰源在美国硅谷举行了一场备受瞩目的“炸啤会”。据推测，双方可能就HBM4的合作进行了深入交流。业内预计，年后SK海力士和三星电子将同步向NVIDIA供应HBM4产品。

这一动态显示出韩厂在高带宽存储器领域的技术优势。据相关报道，NVIDIA的HBM4订单目前主要由SK海力士和三星电子瓜分，而美光则暂时未能参与其中。尽管具体原因尚未明确，但这一局面无疑对美光构成了不小的竞争压力。

市场分析认为，HBM4作为下一代高性能存储器，将在人工智能和高性能计算领域发挥重要作用。其供应格局的变化或将对全球半导体产业链产生深远影响。