据报道，英特尔近期通过软银子公司Saimemory，推出了一种名为ZAM（Z-Angle Memory）的新型存储器技术原型，试图挑战当前由高带宽存储器（HBM）主导的市场格局。这一技术的亮相，标志着英特尔重新涉足高端存储器领域。
在日前举办的Intel Connection Japan 2026活动上，英特尔研究员兼政府技术部门技术长Joshua Fryman，以及英特尔日本CEO大野诚，共同展示了ZAM架构存储器的首个原型产品。据Wccftech报道，英特尔详细介绍了该技术在效能与散热方面的突破性优势，并展望了未来发展方向。
ZAM存储器的核心创新在于其交错式互连拓扑结构。与传统垂直钻孔设计不同，ZAM采用对角线布局的连接线路，这一设计显著提升了散热效能。英特尔表示，这种架构有望解决现有存储器技术的瓶颈问题。
尽管英特尔在ZAM研发中的具体角色尚未明确，但据活动行销资料显示，英特尔主要负责初期投资与战略决策。外界对ZAM技术的潜在优势充满期待，推测其功耗可能降低40~50%，单芯片存储容量最高可达512GB，同时Z字互连设计还有助于简化制造流程。
此次存储器技术的发布由英特尔高层亲自参与，被市场解读为英特尔有意在高端存储器领域寻求新的竞争机会。ZAM技术的出现，或将为HBM市场带来新的变数。
