存储器行业正密切关注下一代高带宽存储器（HBM4）的竞争，韩国两大巨头三星电子和SK海力士在技术路线上采取了截然不同的策略。据韩媒iNews 24报道，三星以追求极致效能为目标，而SK海力士则更注重产品的稳定性与量产可靠性。
据悉，三星在HBM4上采用了自家4纳米制程打造的基础裸晶，并搭配1c DRAM技术，力求实现顶尖性能。其数据传输速率最高可达11.7Gbps，远超JEDEC标准的8Gbps和前一代HBM3E的9.6Gbps。然而，这种先进制程在初期可能面临良率稳定性的挑战。
相比之下，SK海力士选择与台积电合作，采用1b DRAM和12纳米制程基础裸晶，以成熟技术降低风险，确保供应链稳定性和成本优势。据传，SK海力士计划从下一代HBM4E开始才导入更先进的1c DRAM。
关于量产时间，据传SK海力士自2024年1月起已进入HBM4量产模式，而三星预计将在农历新年假期后启动量产。搭载HBM4的NVIDIA Vera Rubin预计于2026年3月的GTC大会亮相，两大韩厂生产的HBM4有望成为该芯片的核心组件。
据SemiAnalysis透露，美光在Vera Rubin的初期HBM市场占有率可能为0%，而SK海力士或将占据约70%的供应份额，三星则可能获得约30%。韩国业界推测，SK海力士可能拿下65%的首批订单，三星则占据最多35%。
这场HBM4的竞争不仅是技术的较量，更是稳定供应能力的长期考验。NVIDIA在追求高效能的同时，也极为重视全年供货的稳定性，这使得技术与量产能力的平衡成为关键。
