存储器市场两极分化：DDR4暴跌，AI驱动合约价飙升

据媒体报道，当前全球存储器市场正面临前所未有的结构性撕裂。一方面，DDR4现货市场价格遭遇“闪崩式”回调；另一方面，面向大客户的合约价格却持续飙升，两者走势背道而驰，反映出市场对未来趋势的重大分歧。

在中国现货市场，DDR4内存价格近期出现断崖式下跌。以KST 16GB型号为例，价格从最高925元回落至845元，终结了过去一年DRAM整体涨幅高达613%的炒作神话。此轮崩跌并非偶然，而是多重因素叠加的结果。首先，DDR5在PC与服务器领域的渗透率已高达70%–80%，DDR4需求占比不足三成，仅存于医疗设备、工业控制等长周期利基市场。其次，三星、SK海力士等大厂为押注高利润HBM而削减DDR4产能，被华强北等通路商放大为“长期缺货”预期，引发恐慌性囤货与资本控盘，催生价格泡沫。更荒诞的是，一度出现性能落后的DDR4价格反超DDR5的“倒挂”现象。如今，随着主流整机厂加速平台切换、国产厂商释放新一代DDR4产能，以及投机资金急于回笼，泡沫开始受到挤压。

然而，DDR4现货市场的退潮并未撼动整个存储器行业的上行逻辑，反而凸显了AI驱动的“超级周期”之坚挺。机构预测，2026年第一季度DRAM与NAND闪存的合约价仍将大幅上涨，部分季度涨幅可达90%，创历史新高。关键在于区分现货价与合约价：前者面向中小客户，易受情绪与短期供需扰动；后者则通过长期供货协议锁定量价，反映真实产业趋势。

这轮紧缺的核心驱动力来自人工智能。英伟达等厂商对高带宽存储器（HBM）的强劲需求，迫使原厂将先进制程产能优先配置给HBM，传统DRAM扩产意愿低迷。即便智能手机、汽车等终端需求疲软，DRAM现货价在过去数月仍飙升超600%，NAND亦因数据中心海量数据存储需求而同步走强。

然而，终端厂商正深陷盈利泥潭。高通警告内存供应受限将压抑智能手机产量，股价单日重挫逾8%；任天堂示警毛利率遭侵蚀，创下18个月最大单日跌幅；罗技因芯片成本上升叠加PC需求转弱，股价自高点回落约三成；比亚迪、小米等中国大陆制造商亦受拖累。存储芯片价格已从财报季的“背景因素”，一跃成为主导企业前景的核心变量。

与终端厂商的困境形成鲜明对比，存储芯片制造商成为科技股中的突出赢家。作为英伟达HBM关键供应商，SK海力士股价自去年9月底以来暴涨超160%；生产常规芯片的厂商涨幅更为惊人：日本铠侠控股与中国台湾“南亚科技”均上涨约280%，西数涨幅更超过400%。

市场最大的分歧在于对“超级周期”持续时间的判断。富达国际基金经理Vivian Pai警示，当前估值普遍预期供应紧张将在一两个季度内缓解，但实际情况可能延续至2026年底。GAM投资管理基金经理Jian Shi Cortesi强调，当前周期在长度与幅度上均已超越历史3–4年的平均水平。