SK海力士将向NVIDIA出货HBM4

据韩媒《首尔经济》援引业界消息，SK海力士计划在2026年2月第三周，即农历春节假期结束后，正式向NVIDIA大量出货第六代高带宽存储器（HBM4）。这批HBM4将搭载于NVIDIA的Vera Rubin产品中，采用12层堆叠设计。

SK海力士此次出货的HBM4在技术性能上全面超越NVIDIA的要求。其传输速度达到11.7Gbps，不仅高于NVIDIA设定的11Gbps标准，还达到了业界领先水平。值得注意的是，SK海力士的HBM4采用1b DRAM制程，尽管这一制程较竞争对手的1c DRAM低一代，但其性能表现却完全满足甚至超出客户需求，展现了SK海力士的技术实力。

自2023年HBM3开始，SK海力士便成为NVIDIA的优先供应商。在目前Blackwell加速器所搭载的HBM3E中，SK海力士的供货占比超过70%。市场分析认为，凭借稳定良率和卓越性能，SK海力士在Vera Rubin用HBM4的市占率有望达到60%以上。

与此同时，三星电子也计划在同一时间段内出货HBM4，双方在初期市场主导权上的竞争愈发激烈。未来，SK海力士还计划继续推进16层HBM4及HBM4E等新一代产品的研发，以巩固其在存储器市场的技术领先地位。