据产业链消息人士透露，三星电子计划在春节假期后启动全球首次HBM4大规模量产，并于2月第三周向英伟达交付首批产品。
三星HBM4在性能上实现了显著提升。通过采用1c DRAM制程与4纳米晶圆代工技术，其数据处理速度达到11.7 Gbps，较JEDEC国际标准（8 Gbps）提升37%，比上一代HBM3E（9.6 Gbps）快22%。此外，单堆叠存储带宽达3 TB/s，是前代产品的2.4倍，12层堆叠结构提供36GB容量，未来可扩展至48GB。低功耗设计也成为一大亮点，能显著降低数据中心的冷却成本，直击AI算力能耗痛点。
三星此次量产与英伟达的新品节奏紧密配合。据悉，三星已通过英伟达的品质认证，其HBM4将应用于3月GTC 2026大会亮相的Vera Rubin AI加速器。为满足客户需求，三星大幅增加样品供应量，进一步巩固其在英伟达供应链中的核心地位。
产业分析指出，HBM4作为AI芯片的“燃料舱”，其供应能力将直接影响英伟达等巨头的旗舰产品发布。三星凭借全球唯一的全链条能力——涵盖逻辑芯片、存储器、晶圆代工和封装，以“一站式解决方案”打造差异化优势。目前，平泽园区第四厂已启动新产线扩建，目标是将今年HBM销量提升两倍以上。
