据机构2月发布的《Memory Price Tracker》报告显示，2026年第一季度全球存储器价格较2025年第四季度飙升80%至90%，创下历史新高。其中，DRAM和NAND两大核心品类同步大涨，成为本轮涨价潮的主要驱动力。
此轮价格飙升的主要原因在于通用型服务器DRAM价格的大幅攀升。数据显示，服务器用64GB RDIMM固定合约价从2025年第四季度的450美元飙升至2026年第一季度的900美元以上，几乎翻倍。市场普遍预计，今年第二季度这一价格可能突破1000美元大关。
不仅是DRAM表现强劲，NAND市场同样迎来暴涨。2025年第四季度价格相对平稳的NAND，在2026年第一季度涨幅也达到80%至90%。此外，部分HBM3e产品价格上调，进一步推动存储器产品线全面上行，反映出市场供需结构的显著变化。
机构资深分析师指出，随着零部件成本持续上涨，叠加消费者购买力趋于保守，终端设备需求在季度后段可能承压。在此背景下，OEM厂商正调整采购策略，优化产品组合，转向高端机型以支撑售价和毛利水平。
智能手机市场的变化尤为显著。为应对存储器成本的快速攀升，品牌厂商采取多种控本措施，例如降低设备的DRAM配置容量，或用成本更低的QLC SSD取代TLC SSD。同时，由于LPDDR4供应持续紧张，其订单量呈现下滑趋势；而随着新一代入门级芯片平台的推出，LPDDR5市场需求持续升温。
分析师进一步表示，2025年第四季度DRAM营业利益率已达到约60%，首次超越HBM产品。展望2026年第一季度，DRAM毛利率有望再创新高，成为推动存储器制造商整体获利提升的核心引擎。机构预测，今年第一季度存储器制造商营业利益率将创下历史新高，行业盈利水平全面上升。
存储器价格暴涨和供应紧张也对手机芯片厂商造成冲击。据花旗研报指出，高通因传统DRAM组件供应不足，尤其是在中国低端安卓市场，供应缺口更为突出，导致其3月底止次财季业绩指引逊于预期，股价下跌10%。
花旗预测，受存储器供应限制、季节性因素以及苹果增加调制解调器芯片自研比例的影响，高通手机芯片销售将出现按季下滑，这一趋势可能持续至9月底的末财季。同时，高通目前约12倍的市盈率低于3至5年平均水平的14倍，反映出其约73%的业务集中在手机领域的现状。
此外，花旗表示，期待高通在投资者日期间披露数据中心芯片及客户进展的最新信息。基于对高通手机销售预期的下调，该行已将其2026及2027财年每股盈利预测分别下调13%、12%，并将目标价从180美元降至140美元，维持中性评级。值得注意的是，本轮DRAM价格暴涨还与厂商将部分DRAM产能转向高附加值的HBM生产有关，进一步加剧了通用DRAM的供应紧张态势。
