英特尔推全新内存，或重返DRAM

综合外媒报道，英特尔（Intel）正通过双线布局，推进GPU研发与新一代存储技术创新。
英特尔CEO陈立武在思科AI峰会上透露，公司已正式启动GPU研发计划，主攻AI与数据中心领域。英特尔已聘请前高通工程副总裁Eric Demers担任首席GPU架构师。
陈立武表示，当前GPU项目仍处于初期阶段，未来将根据客户需求灵活调整研发。目前，多家客户正与英特尔代工服务（IFS）展开合作，以期加速量产进程，为数据中心和AI芯片提供更多选择。
与此同时，英特尔在存储技术领域也取得重要进展。据透露，英特尔正与软银（SoftBank）旗下Sainmemory合作，共同研发名为Z型角度内存（Z-Angle Memory，ZAM）的技术。
该技术起源于美国能源部（DoE）主导的先进存储技术（AMT）计划，或将采用铜对铜混合键合技术，实现层间更高效的融合，打造出类单片式硅芯片模块，而非彼此独立的堆叠结构。
ZAM内存采用无电容设计，通过EMIB技术连接存储与AI芯片，单芯片容量可达512GB，功耗降低40%~50%。这一技术有望突破现有DRAM供应瓶颈，为AI算力提供更高带宽与容量支持。
事实上，这并非英特尔首次布局DRAM领域。该公司早年曾布局DRAM业务，但在1985年受日本厂商的激烈竞争影响，其DRAM市场份额大幅下滑，最终选择退出该领域。
AI数据中心的快速扩张正对全球存储市场造成压力。陈立武警告称，存储短缺问题或将持续至2028年，英伟达新一代平台将进一步推高需求，导致价格攀升并压缩其他终端市场供应。
此外，他指出，尽管面临美国制裁，华为仍通过替代设计工具快速追赶先进芯片技术，与西方半导体企业的差距正在缩小。他同时提醒，若产业领先阵营稍有松懈，竞争版图或将发生变化。

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