在高带宽内存（HBM）技术发展的关键阶段，三星电子与SK海力士做出了令人意外的战略调整。尽管两家公司已宣布第六代HBM4进入量产阶段，但它们决定推迟原计划用于HBM4制造的混合键合设备的导入时间表。取而代之的是，它们将继续使用现有供应商SEMES和韩美半导体提供的热压（TC）键合机进行生产。即便是原计划采用混合键合技术的16层堆叠HBM4产品，也很可能沿用TC键合方案。
据业内人士透露，三星与SK海力士正通过优化微凸点设计来弥补TC键合的技术局限。具体而言，两家公司已将HBM4的凸点间距缩小至约10微米，这一改进足以满足英伟达提出的每引脚11.7 Gb/s传输速率要求。相比之下，混合键合技术虽能实现无凸点直接连接，降低信号损耗并支持20层以上超高堆叠，但其设备成本是TC键合机的两倍以上，且生产效率不足50%。
CTT Research援引消息指出，一家北美客户（美光）已将无助焊剂混合键合技术的商业化时间推迟至2028年。三星在近期财报电话会议中也承认，HBM4E（第七代HBM）才可能实现混合键合的部分商业化，而主线产品仍将长期依赖TC工艺。这种“渐进式创新”策略虽牺牲了部分性能上限，却确保了产能稳定与客户交付可靠性，在当前AI芯片供不应求的市场环境下显得尤为务实。
