据GF证券和DigiTimes等媒体报道，苹果可能选择英特尔的18A-P工艺来制造其最低端的M系列芯片，预计2027年出货。此外，苹果的定制ASIC预计在2028年推出，并采用英特尔的EMIB封装技术。然而，业内人士普遍认为，英特尔为苹果制造iPhone芯片的可能性几乎为零。
英特尔的18A-P工艺是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的节点，通过TSV（硅通孔）实现多芯片堆叠。与台积电不同，英特尔在18A和14A节点上全面采用背面供电技术（BSPD）。虽然BSPD能通过更短、更厚的金属路径为芯片供电，从而降低电压降并提高晶体管密度，但对移动芯片来说，性能提升有限。
更重要的是，BSPD会导致更严重的自热效应（SHE），需要额外的冷却支持。业内人士指出，由于散热问题，英特尔为苹果制造iPhone芯片的可能性极低。不过，M系列处理器仍可能采用英特尔的先进工艺。
