据韩媒The Bell援引业界消息，三星电子近期已确认将NAND Flash生产设备搬入其位于韩国的平泽4厂（P4）。此前因市场低迷而延宕的投资计划，如今正逐步恢复执行。
P4H产线原本规划以NAND生产为主，但因存储器市场状况不佳，三星于2025年调整方向，将其改为同时生产DRAM与NAND的混合型产线。产线名称也从P4F（Flash）更改为P4H（Hybrid）。据悉，P4H内配置的NAND产能约为1万至1.2万片，其余空间则用于DRAM生产。
近年来，三星加大了对DRAM的投资力度，这与NAND市场长期低迷不无关系。NAND市场竞争激烈，价格波动性较大，获利压力显著。此外，数据中心投资高度集中在AI加速器领域，而相较于DRAM，AI数据中心对NAND的需求量相对有限，这也是导致NAND市场疲软的重要原因。
不过，近期AI产业需求开始向NAND市场扩散。一方面，HDD交期拉长促使云端服务供应商（CSP）增加企业级SSD（eSSD）的采用；另一方面，NVIDIA提出的推论情境记忆存储（ICMS）概念有望进一步刺激NAND需求。
据知情人士透露，三星对P4H NAND产线的建置经过了审慎评估，近期已开始导入设备，且所配置的设备可支持V10 NAND生产。此外，三星还计划在西安厂与平泽2厂（P2）推动NAND转换投资，并考虑将成熟制程NAND升级为V8和V9 NAND。相关投资预计最快将于2026年第二季度正式启动。
随着市场状况改善，业界开始讨论NAND进一步扩产的可能性。三星可能通过产线优化，在制程转换过程中同步提升产能，以应对未来市场需求。
