在全球半导体技术竞争日益激烈的背景下，韩国业界正积极推动设备本土化，特别是针对当前完全依赖荷兰ASML的EUV曝光设备的现状。韩国专家认为，应尽早投入尚处于研发初期的X光曝光技术，以确保半导体产业的长期竞争力。
日前，韩国国会议员会馆举办了一场名为“X光曝光设备核心技术研讨会”的活动。韩国机械研究院（KIMM）研究委员李在锺指出，ASML的技术壁垒已难以逾越，韩国应另辟蹊径，专注于波长在0.1~1纳米的X光曝光技术，而非参与现有EUV技术的竞争。
X光曝光技术具备更短波长和更高分辨率的优势，能够实现更精细的图案化制程，尤其在3D结构图案化方面潜力巨大。此外，X光的直进性较强，受散射影响较小，可在大面积晶圆上保持均匀图案。然而，该技术仍面临诸多挑战，例如X光的高穿透性导致传统反射镜几乎无法反射，光学汇聚难度极高，且可能对下层结构产生干扰。
业界指出，X光光源与系统的研发极具挑战性，尤其是实现量产设备所需的高端平台控制精度需达到0.1~0.5纳米，光罩与材料技术也需要同步突破。目前，美国、欧洲和日本在相关领域已取得一定进展，而韩国在光学材料与加工技术方面基础较为薄弱，特别是在EUV光阻剂和光罩护膜测试设备方面。
李在锺以台积电为例指出，台积电具备自行测试光罩护膜的能力，而韩国曾请求ASML协助测试，却被要求支付150亿韩元（约合1,044万美元）。这一案例凸显了建立本土生态链的重要性。
尽管如此，韩国在X光技术领域仍有一定积累，例如大型同步辐射加速器的运作以及多层膜技术的提升。近年来，一些中小企业开始制造高精度X光反射镜元件，为X光曝光技术的发展奠定了基础。
韩国电子机械融合技术院院长张东英强调，政府需协助建立完整的生态链与人才链。他提到，韩国曾在20年前发展半导体封装技术时因预算问题中断研发，导致错失良机。如今，X光曝光技术的研发不能再重蹈覆辙，必须立即启动，才能在全球竞争中占据一席之地。
韩国政府此前曾推出EUV技术的5年计划，培养了200~300名关键人才。这些经验需延续至X光曝光技术的研发中，以确保技术连贯性。未来，韩国能否在新一代技术领域实现突破，将取决于政府与产业界的决心与行动。
