据业界报道，美光（Micron）近期在新加坡、中国台湾地区及美国展开大规模存储器生产投资，显示出其对存储器市场的信心与战略布局。尽管在第六代高带宽存储器（HBM4）供应时程上较为低调，但美光的技术问题已基本解决，其扩产计划备受期待。
美光日前宣布，将在新加坡投资约240亿美元，主要用于NAND晶圆厂建设，预计2028年下半年投产。同时，位于新加坡的HBM先进封装厂也将在2027年为美光的HBM供应提供支持。此外，美光以18亿美元收购力晶科技铜锣厂，计划提升DRAM产能。目前，美光HBM主要在中国台湾地区生产，未来将与中国台湾地区及新加坡形成双线并进的扩产格局。
与此同时，美光在美国纽约州的千亿美元建厂计划也备受关注。在美强化供应链本土化的背景下，美光有望获得高达250亿美元的补贴。据消息人士透露，三星、SK海力士等非美系存储器厂商可能面临100%关税，这使得美光在美支持下占据优势。
业内人士指出，这些投资不仅着眼于短期存储器短缺，更着眼于新一代存储器的竞争力。随着HBM堆叠层数向16层以上发展，HBM4及1γ（1-gamma）DRAM制程技术将成为关键。此外，美光在新加坡的投资以NAND为中心，被解读为布局后HBM时代的高带宽快闪存储器（HBF）。
据分析，HBF有望在2027年下半年投入使用，形成HBM与HBF分工的存储器生态。HBM负责高速存取，HBF则承担大容量数据存储需求，为AI产业提供低成本、高效率的解决方案。美光的布局不仅应对短期市场波动，更着眼于未来AI产业需求，其成果将在未来2~3年内逐步显现。
