据法新社报道，英特尔与美国三大国家级实验室合作开发的先进存储器技术（AMT）项目，已取得重大进展。该项目由桑迪亚国家实验室牵头，联合劳伦斯利佛摩国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室共同推进，旨在解决美国国家核安全管理局（NNSA）关键任务中存储器带宽与延迟的难题。
从技术细节来看，英特尔开发出一种新型堆叠方法和DRAM组织结构。其原型产品不仅克服了现有技术的存储器容量限制，还成功实现功能性验证，证明该技术具备大规模量产的可行性。桑迪亚国家实验室首席技术人员Gwen Vuokuilien表示，最新演示已证实该技术能够结合生产出高性能且适合大规模量产的存储器。
英特尔推出的下一代DRAM键合（NGDB）计划，采用全新的存储器组织方式与堆叠组装方法。与传统架构相比，NGDB显著提升了DRAM性能，同时降低了功耗和成本。该技术还突破了高带宽存储器（HBM）与DDR DRAM之间的性能权衡，解决了当前HBM普遍存在的“以容量换带宽”问题，使更多应用场景能够利用HBM的优势。
NNSA高级运算项目主管Si Hammond指出，他们一直在寻找性能更高的存储器技术，以支持关键任务目标的实现。英特尔政府科技（Intel Government Technologies）技术长Joshua Fryman表示，NGDB定义了一种全新的存储器架构，能够满足AI需求，并加速迈向未来十年的技术发展。
英特尔在DRAM领域的技术突破，为其是否重返DRAM市场提供了直接佐证。尽管目前尚未明确宣布大规模重返DRAM制造市场，但其在该领域的长期布局意图显而易见。英特尔曾于1970年代涉足DRAM产业，后于1985年转向CPU领域。如今，随着AI工作负载对存储器带宽和容量需求的激增，DRAM产业迎来新一轮超级周期，英特尔的动向备受关注。
当前，英特尔面临CPU市场竞争加剧、晶圆代工业务亏损以及AI芯片技术落后的多重压力。在DRAM领域展现的技术突破，或许正是其探索技术变现的重要方向。
