供应链透露，华邦电、南亚科等存储厂商目前与客户签订的长期供货合约（LTA）已从过去的“锁价又锁量”转变为“锁量不锁价”模式。新合约形式的核心在于确保产能优先级与出货稳定性，但价格随市场波动调整，为报价保留弹性空间。
据业内人士透露，当前LTA的签约年限从一年延长至至少两年，部分大客户甚至已谈定接近2030年的长期合作框架。尽管这种模式能为供应商提供稳定的产能利用率和最低获利保障，但在不锁价的情况下，毛利率的上限也被限制，呈现“不会亏，但也赚不大”的局面。
市场分析指出，2026年DRAM市场供需紧俏的格局将持续，DDR4价格高位运行时间显著拉长。随着一线存储厂商将更多产能转向高频宽存储（HBM）与先进制程，一般型DRAM的新增供给受限，成熟制程DRAM的结构性短缺短期内难以缓解。
据预测，2026年HBM市场产值将同比增长57%，位元出货量增长68%，HBM投片量占整体DRAM供给比重达23%，对一般型DRAM形成明显排挤效应，进一步压缩可用产能。需求端方面，AI与服务器仍是主要增长动力。2026年服务器相关DRAM位元需求占比将达47%，其中AI服务器DRAM需求接近整体服务器DRAM需求的34%。
价格走势上，业内人士认为，DRAM供需紧张态势将延续至2026年底，服务器DRAM供需缺口预计达15%，有助于支撑报价维持高位。2027年，随着新增供给逐步显现，产业将从“极度紧俏”转向“结构性再平衡”。
终端产品方面，存储涨价对AI服务器成本影响较小，但对普通服务器、PC和智能手机的冲击较大。市场估算，若DRAM/NAND价格上涨10%，对整机价格的影响分别为：AI服务器0.4%、服务器2.7%～5.5%、PC 2%～2.3%、智能手机0.7%～1.3%。
展望未来，随着2026年价格周期仍处高位、HBM排挤效应持续，以及2027年潜在新增供给逐步显现，DRAM产业将迎来供需再平衡的结构性转折，拐点或出现在2027年。
