据韩媒《韩国经济》援引业界消息，三星电子计划于2026年3月在美国德州泰勒1号工厂启动极紫外光（EUV）曝光设备的试运转。这座工厂是三星首座海外晶圆代工厂，预计在2026年下半年正式投入量产。初期订单已锁定Tesla的自驾芯片AI5与AI6，同时高通的次世代智能手机应用处理器（AP）也可能在此生产。
为确保泰勒厂顺利推进，三星近期向美国德州政府与泰勒市申请了临时使用许可（TCO）。这一许可允许在符合消防、安全等条件的情况下，即使工程尚未完全竣工，也可提前启用部分设施。据知情人士透露，目前泰勒厂每日平均投入约7,000名现场人力，其中包括负责收尾工程的团队和协助导入EUV设备的厂商人员。此外，一栋6层楼的办公大楼已有约1,000人开始办公。
三星在泰勒厂的关键布局是导入采用环绕式闸极（GAA）技术的2纳米制程。该技术已在3纳米制程中验证成功，三星希望通过这一技术与台积电形成差异化竞争。台积电计划于2025年第4季在中国台湾地区工厂启动2纳米量产，良率已达到70%~90%。相比之下，三星的2纳米试产线良率仍有待提升。若无法在量产阶段实现高良率，三星可能难以吸引大型科技公司。
此外，三星还预留了充足的扩展空间，计划在泰勒基地建设多达10座工厂。目前，泰勒2号工厂正在进行基础工程，未来将作为满足大型科技公司需求的“扩张基地”。尽管三星此前将资源集中于2纳米制程，但随着客户需求增加，公司正重新评估是否投资先进封装（AVP）设施。
