据韩媒《韩国经济》援引业界消息，三星电子计划在韩国京畿道平泽半导体工厂部署混合键合（Hybrid bonding）产线，并预计在2026年将该技术应用于400层V10 BV（Bonding Vertical）NAND的量产。混合键合技术被视为次世代存储器和先进封装领域的关键技术，三星正加速其在多个领域的布局。
三星的混合键合技术不仅将用于NAND Flash，还将逐步扩展至高带宽存储器（HBM）和晶圆代工领域。据报道，三星原计划将该技术应用于第六代高带宽存储器（HBM4），但由于现实因素，改为锁定第七代HBM4E产品。为此，三星已在韩国天安工厂配置多台混合键合设备，这些设备由其旗下半导体设备子公司Semes提供。
此外，三星还计划通过晶圆代工扩大混合键合技术的应用范围。例如，该技术将用于实现系统半导体与SRAM垂直堆叠的X-Cube技术，未来还将成为将HBM等DRAM芯片置于GPU等运算单元之上的关键技术。
业界分析认为，目前混合键合先进封装领域主要由台积电的SoIC技术主导。随着三星的加入，混合键合技术将成为先进封装领域竞争的关键战场。与此同时，韩国另一存储器大厂SK海力士也计划将混合键合技术导入HBM，并同样将目标锁定在HBM4E上。不过，SK海力士将采取“双轨”策略，将混合键合技术与现有封装技术MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）共同研发。
