据美光管理层透露，2026年将同步供应HBM3E和HBM4，并根据客户需求灵活调整两款产品的组合比例。这一策略旨在满足AI加速器对第五代高带宽存储器（HBM3E）的持续需求，同时应对第六代HBM4的强劲增长预期。
美光计划与HBM客户生态系统中的多家企业保持紧密合作，共同推动2026年营收的强劲增长。公司预计，HBM市场将从2025年的约350亿美元，增长至2028年的1000亿美元规模，较此前预期提前两年。值得注意的是，美光2026年的HBM3E与HBM4已锁定量价，HBM4预计在2026年第二季度开始出货。
面对当前存储器短缺问题，美光坦言短期内难以解决。公司正通过技术节点转换提升产能，1γ节点将成为2026年供应增长的主要动力。目前，1γ节点已达到成熟良率，预计在2026年下半年成为位元出货量的主力。
此外，美光正加速全球产能布局。其位于美国纽约州的先进存储器制造基地将于2024年1月16日动工，预计2027年至2030年间陆续投产。在日本广岛工厂，美光新增了无尘室空间以支持先进制程节点。新加坡的HBM先进封装厂预计2027年开始贡献产出，印度组装测试工厂则计划在2026年进入量产。
在竞争对手方面，SK海力士和三星电子已开始向NVIDIA交付最终版HBM4样品，标志着进入商业化供应阶段。尽管美光在HBM4时代的出货可能稍显滞后，但若能成功进入AMD MI400的HBM4供应链，将为其业务提供有力支撑。
在LPDDR领域，美光SOCAMM2已成功送样，容量增至192GB，预计采用1γ制程并优化散热设计。相较之下，三星SOCAMM2计划于2026年初量产，而SK海力士的LPDDR产能受限，预计2026年第二季度量产。这使得美光在AI服务器LPDDR市场占据先发优势。
随着AI时代的到来，存储器产业正迎来需求与供给结构的重塑。大型语言模型（LLM）训练对HBM的高带宽需求，以及AI服务器对DDR5和LPDDR的快速拉动，使存储器成为算力系统的性能瓶颈与刚需来源。与此同时，DDR5、LPDDR、CXL Memory和eSSD等多层级产品在AI数据中心形成协同效应。
为应对这一趋势，美光计划在2026会计年度将资本支出提升至200亿美元，重点投向HBM与1γ产品的产能建设，以巩固其在存储器市场的竞争力。
