据韩媒G-enews、Deal Site综合报道，随着人工智能（AI）需求的快速增长，存储器市场进入长期繁荣期。韩国两大存储器巨头三星电子与SK海力士预计将在2026年实现营业利润的历史新高，合计可能突破300万亿韩元（约合2,100亿美元），较2025年翻倍增长。
尽管如此，两大厂商的扩产速度仍无法完全满足市场需求。例如，韩国的龙仁半导体产业聚落预计最快要到2027年才能投入运作，短期内对产能的提升作用有限。目前，三星正加快平泽第四工厂（P4）的扩产投资，而SK海力士则将重点放在利川M14、M16厂以及清州M15X厂区的新产线建设上。
在技术层面，存储器堆叠制程的竞争愈发激烈。SK海力士曾评估在16层堆叠中采用无助焊剂键合技术的可行性，但因效能和成本问题，最终决定继续使用与日本纳美仕合作开发的MR-MUF制程。相比之下，三星和美光则大力投资TC-NCF制程，而长鑫存储也在尝试MR-MUF技术以抢占HBM3市场。
业内人士指出，2025年下半年，两大厂商的重心仍将是毛利率较高的高带宽存储器（HBM）。然而，随着DRAM价格的快速上涨，2026年策略将转向扩充整体产能，以应对市场需求的持续增长。三星的DRAM月产能预计为66.5万片（以投入晶圆为基准），而SK海力士则计划在2026年下半年将产能提升至60万片左右。
此外，SK海力士向ASMPT订购了多台HBM4专用TC键合设备，但相关人士透露，这属于既定采购计划，与无助焊剂键合技术的研发并无直接关联。未来，混合键合技术可能成为主流，但其导入时间仍有待观察。
