ASML CEO：中国EUV技术差距至少8代

近期，路透社“爆料”所谓“曼哈顿计划”，称我国已造出极紫外（EUV）光刻机原型机。ASML CEO克里斯托夫・富凯（Christophe Fouquet）对此作出回应，称相关说法缺乏事实依据。
据荷兰《电讯报》援引对富凯的专访报道，他表示中国在EUV技术上至少落后8个世代。
富凯指出，中国自8年前起就无法获取EUV设备，而半导体技术每代演进约需1至1.5年，这进一步拉大了技术差距。他表示：“ASML 看不到任何证据显示，中国已接近EUV的技术水准。”
富凯强调，EUV技术涉及精密光学系统、材料科学及供应链整合等多个领域，难以仅凭资金快速复制。对于“技术封锁可能加速中国自主研发”的观点，他并未完全否认，但直言这将是一项长达10年的挑战，短期内难以实现。

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