据韩媒The Guru报道，三星电子已开始向客户供应速度达7200Mbps的DDR5样品，容量为16Gb。相比目前最高速度为5600Mbps的量产产品，新样品的数据处理能力显著提升，延迟更低且性能更强。
业界分析，三星此举旨在通过更高速的DRAM产品，满足服务器、PC及人工智能领域对存储器性能日益增长的需求，进一步巩固其在全球DRAM市场的领先地位。与此同时，三星的新品取样进度与英特尔次世代处理器Panther Lake和Arrow Lake更新版的平台设计验证阶段相匹配，后者计划支持每秒7200MT的DDR5。
三星通过多项技术提升DDR5的性能与效率。例如，采用晶粒内建ECC（On-Die Error Correction Code）和基于电源管理IC（PMIC）的电力管理方案，DDR5的能效较DDR4有所提高。此外，12纳米级制程、矽穿孔（TSV）以及极紫外光（EUV）技术的应用，使其能够构建高达1TB的模块，满足数据中心和云计算的需求。
值得注意的是，三星此次引入了新的零件编号系统。过去DDR系列DRAM芯片多以“K4”开头，而此次取样的16Gb DDR5芯片编号改为“PDRQL8KCBF12-00”和“PDRQLAKCDF12-00”等PDRQ标示。业内人士认为，这一调整旨在细化DDR5产品线管理，依据速度和构成进行更精准分类。
存储器市场的竞争愈发激烈。SK海力士也被传出正在测试7200Mbps的DDR5样品，而中国长鑫存储在2024年成功商用DDR5后，计划于2025年11月在“IC China 2025”展示速度高达8000Mbps的新品，进一步拓展高速产品线。三星在DDR5领域的技术优势正面临挑战。
