12月30日，上海证券交易所正式受理长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）的科创板上市申请。作为中国大陆规模最大、技术最先进的DRAM（动态随机存取存储器）研发设计制造一体化企业，长鑫科技计划通过此次IPO募集资金295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级及前瞻技术研发等项目。
长鑫科技自2016年成立以来，专注于DRAM产品的研发、设计、生产与销售。2019年，公司成功推出首款自主设计的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的突破。通过“跳代研发”策略，公司已实现四代工艺技术平台的量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5/5X等多个代次，技术实力达到国际先进水平。
行业分析机构Omdia数据显示，按出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。在全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光主导的格局中，长鑫科技稳步提升市场份额与行业影响力。
目前，长鑫科技在合肥和北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模居中国首位。公司高度重视技术创新，截至2025年6月30日，已在全球范围内拥有超过5500项专利，其中境内发明专利达2348项。根据世界知识产权组织数据，公司2023年国际专利申请公开数量位列全球第22位，展现出强大的研发能力。
在产业链协同方面，长鑫科技与阿里云、字节跳动、腾讯、小米、荣耀、OPPO、vivo等头部客户建立深度合作，同时联动半导体设备、材料、设计及模组等上下游企业，共同推动国产DRAM产业生态的完善与安全可控。
本次IPO募集资金将主要用于制造技术升级、DRAM技术迭代及前沿技术研发等领域。长鑫科技表示，这些项目与公司未来发展战略高度契合，是提升工艺水平、加快产能建设、巩固技术优势的重要举措。
