据韩媒Theelec报道，韩国检方日前起诉了包括前三星电子员工在内的10名涉嫌窃取三星10纳米级DRAM核心技术的人员。这一技术由三星耗时5年、投入1.6万亿韩元（约合11亿美元）研发，被指遭其他国家DRAM企业采用，可能给韩国半导体行业带来数十万亿韩元的损失。
首尔中央地检署信息技术犯罪调查部指出，这10人被控违反产业技术保护法，并涉及国家核心技术外流。其中，**公司开发室主管A某为核心涉案人员，其为前三星员工，跳槽后负责10纳米级DRAM技术开发。此外，4名核心研发人员被拘捕起诉，另有5名部门开发负责人未被拘捕但同样被起诉。
检方透露，**公司在产品开发过程中非法使用了韩国顶尖半导体技术。A某等人通过假公司入职**公司，前三星研究员B某于2016年跳槽后，抄写并泄露了数百条10纳米级DRAM制程信息。这些数据经修正验证后，助力**公司在2023年实现DRAM量产。
此外，负责洁净制程的C某涉嫌通过SK海力士合作厂商泄露其核心技术。韩国检方强调，**公司已掌握全球顶尖DRAM制程技术，为高带宽存储器（HBM）开发奠定基础，对韩国半导体业者造成重大冲击。
